[发明专利]PDMS基双层结构磁响应微透镜阵列制造方法有效
| 申请号： | 201910569068.4 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110261939B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张遒姝;彭倍;王松;楚孟奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00;G02F1/29 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王闯 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种PDMS基双层结构磁响应微透镜阵列制造方法，涉及微透镜阵列制造方法的技术领域。该方法包括：制造PDMS微透镜阵列；在所述PDMS微透镜阵列上旋涂PDMS基磁流变弹性体薄膜，获得PDMS基双层结构磁响应微透镜阵列。该方法制造的PDMS基双层结构磁响应微透镜阵列成型于纯材料PDMS不仅光学透过率高，而且微结构成型质量好，而且，可以通过施加外磁场改变微透镜阵列的焦距，实现磁响应效应。 | ||
| 搜索关键词： | pdms 双层 结构 响应 透镜 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种PDMS基双层结构磁响应微透镜阵列制造方法，其特征在于，包括步骤：制造PDMS微透镜阵列(2)；在所述PDMS微透镜阵列(2)上旋涂PDMS基磁流变弹性体薄膜，获得PDMS基双层结构磁响应微透镜阵列(4)。
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