[发明专利]一种压接型单芯片的测试装置在审

专利信息
申请号: 201910569128.2 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN110286308A 公开(公告)日: 2019-09-27
发明(设计)人: 蔡巍;赵媛;张静岚;胡应宏;李学宝;彭珑;马浩;马鑫晟;张超;徐党国;卢毅;龙凯华;杨大伟;杨敏祥 申请(专利权)人: 国网冀北电力有限公司电力科学研究院;华北电力大学;国网冀北电力有限公司;国家电网有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 程华
地址: 100045 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种压接型单芯片的测试装置。通过两个行程导柱使得上电极和下电极保持相对位置固定,避免出现旋转,即芯片门极区域与门极顶针、芯片发射极区域与发射极电极之间保持相应位置不变,实现准确压接,避免了其它区域误接地,造成芯片绝缘能力的损失,同时结合弹簧结构,使得在弹簧松弛状态下门极顶针超出发射极电极所在平面,而在弹簧压紧状态下门极顶针外侧与发射极电极处于同一平面,从而在试验的过程中门极顶针可以紧密可靠地压接在单芯片的门极区域,避免刚性接触导致平面翘角造成门极区域的虚接,实现了压接型单芯片的绝缘特性的测量和诊断。
搜索关键词: 顶针 单芯片 门极 压接 发射极电极 测试装置 芯片 下门 相对位置固定 测量和诊断 发射极区域 弹簧结构 弹簧压紧 刚性接触 绝缘能力 绝缘特性 可靠地压 松弛状态 所在平面 位置不变 误接地 下电极 电极 弹簧 导柱 翘角 虚接 与门 试验
【主权项】:
1.一种压接型单芯片的测试装置,其特征在于,所述测试装置包括:上电极、下电极和和两个行程导柱;所述上电极包括低压电极、上绝缘法兰、发射极电极、弹簧结构和门极顶针;所述下电极包括下绝缘法兰和高压电极;所述低压电极通过均匀分布的螺母固定在所述上绝缘法兰的上表面;所述发射极电极的上端从所述上绝缘法兰的下表面穿过所述上绝缘法兰与所述低压电极通过第一定位孔固定连接;所述门极顶针通过所述弹簧结构连接在所述发射极电极的侧面;所述高压电极通过均匀分布的螺母固定在所述下绝缘法兰的上表面;所述上绝缘法兰和所述下绝缘法兰通过两个所述行程导柱连接;使用时,所述低压电极接地,所述高压电极接电源正极,将压接型单芯片放置在所述高压电极上,通过调整两个所述行程导柱使所述弹簧结构在松弛状态下所述门极顶针超出发射极电极的下端所在的平面,所述弹簧结构在压紧状态下,所述门极顶针的下端与所述发射极电极的下端处于同一平面。
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