[发明专利]存储器装置有效
| 申请号： | 201910569787.6 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110660909B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 江政鸿;郑忠;刘家玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的实施例提供了存储器装置，包括：第一导体，沿着第一轴延伸；第一选择器材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分；第二选择器材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分；第一可变电阻材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的部分；以及第二导体，与垂直于所述第一轴的第二轴平行地延伸，其中所述第一选择器材料的第一部分、所述第二选择器材料的第一部分和所述第一可变电阻材料的部分布置为沿着平行于第三轴的第一方向堆叠，其中，所述第三轴基本上垂直于所述第一轴和所述第二轴。本申请的实施例还提供了另外的存储器装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：/n第一导体，沿着第一轴延伸；/n第一选择器材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分；/n第二选择器材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分；/n第一可变电阻材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的部分；以及/n第二导体，与垂直于所述第一轴的第二轴平行地延伸，/n其中所述第一选择器材料的第一部分、所述第二选择器材料的第一部分和所述第一可变电阻材料的部分沿着平行于第三轴的第一方向堆叠，其中，所述第三轴垂直于所述第一轴和所述第二轴。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910569787.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
