[发明专利]一种IGBT芯片及其背面实现方法在审
| 申请号： | 201910571061.6 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110265476A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种IGBT芯片及其背面实现方法。提供了一种用较低成本实现与高能氢注入IGBT的参数一致性，降低了设备依赖性的IGBT芯片及其背面实现方法。包括金属层、BPSG钝化层、POLY层、栅氧化层、N+区和Pbody区，还包括从上到下依次设置的N‑层、N缓冲层、N‑衬底和P+集电极，所述N‑层的厚度范围为4~150um，N缓冲层的厚度范围为5um~30um。本发明通过N‑单晶片二次外延，外延层一为N掺杂（即N缓冲层），外延层二为N‑掺杂，在IGBT正面工艺完成后，进行后续减薄时减薄截至在衬底N‑内，然后注入P+，实现IGBT背面结构。同时，外延N缓冲层浓度分布平直，再加上正面的热过程作用，会形成较小浓度梯度的NN+结，这有利于提高IGBT的动态雪崩能力。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 背面 外延层 衬底 减薄 参数一致性 背面结构 从上到下 动态雪崩 浓度分布 浓度梯度 依次设置 栅氧化层 正面工艺 单晶片 低成本 钝化层 集电极 金属层 热过程 平直 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT芯片，包括金属层、BPSG钝化层、POLY层、栅氧化层、N+区和Pbody区，其特征在于，还包括从上到下依次设置的N‑层、N缓冲层、N‑衬底和P+集电极，所述N‑层的厚度范围为4~150um，N缓冲层的厚度范围为5um~30um。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司，未经扬州扬杰电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910571061.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
