[发明专利]区熔硅单晶收尾方法和拉制方法在审
| 申请号： | 201910571165.7 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110318096A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 袁静;关树军;陈辉 | 申请（专利权）人： | 北京天能运通晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B13/00;C30B13/30 |
| 代理公司： | 北京市鼎立东审知识产权代理有限公司 11751 | 代理人： | 陈佳妹;贾满意 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种区熔硅单晶收尾方法和拉制方法，其中收尾方法包括：在当前生长单晶体的工艺达到结束等径生长并开启收尾的条件时，关闭等径生长操作，控制拉制单晶体的区熔单晶炉的上轴和下轴停止下降，并降低功率；在单晶固液交界面开始收缩时，控制下轴开启下降，并在单晶收尾腰开始变细时，控制上轴开启下降，并继续降低功率预设时间；反复执行上述操作，直至达到预设条件后，控制上轴开始上升，并在单晶固液交界面的直径缩小至第一预设数值时，将多晶原料与单晶体分离。其相较于相关技术中的慢收尾方式，既可以有效解决单晶位错的问题，同时还可以有效降低生产成本，提高单晶的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 收尾 单晶 拉制 单晶体 上轴 区熔硅单晶 等径生长 降低功率 下轴 预设 固液交界面 区熔单晶炉 多晶原料 反复执行 有效解决 预设条件 直径缩小 成品率 变细 固液 位错 收缩 交界 生长 申请 | ||
【主权项】：
1.一种区熔硅单晶收尾方法，其特征在于，包括：S100，在当前生长单晶体的工艺达到结束等径生长并开启收尾的条件时，关闭所述等径生长操作，控制拉制所述单晶体的区熔单晶炉的上轴和下轴停止下降，并降低功率；S200，在单晶固液交界面开始收缩时，控制所述下轴开启下降，并在单晶收尾腰开始变细时，控制所述上轴开启下降，并继续降低所述功率预设时间；反复执行S100和S200，直至达到预设条件后，控制所述上轴开始上升，并在所述单晶固液交界面的直径缩小至第一预设数值时，将多晶原料与单晶体分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京天能运通晶体技术有限公司，未经北京天能运通晶体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910571165.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型晶体生长装置及其生长方法
- 下一篇：一种铌酸镓镧单晶的制备方法
