[发明专利]离线量产产品工艺参数调整方法及其调整系统在审
| 申请号： | 201910571300.8 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110287610A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 武建宏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于WAT离线量产产品工艺参数调整方法，包括：收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定。采用实测对上述补正设定进行校验和筛选，去除无法满足WAT的补正设定。本发明能去除量产测试中对参数的trimming操作，通过离线计算补正来替代实时测量调参，以此实现WAT时间的缩短。在现有工艺中，由于测试Trimming占WAT总时间的75％，本发明可以将WAT时间降低到原来的四分之一。 | ||
| 搜索关键词： | 补正 量产 参数调整 产品工艺 拟合平面 测试 晶片 离线 去除 调整系统 函数计算 晶片测试 离线计算 时间降低 实测数据 实时测量 校验和 实测 筛选 芯片 查询 替代 | ||
【主权项】：
1.一种离线量产产品工艺参数调整方法，用于WAT，其特征在于，包括以下步骤：1)收集晶片测试图形各工艺参数的WAT实测数据，计算每张晶片每种工艺参数的拟合平面函数；2)通过所述拟合平面函数计算出该晶片全片所有芯片各工艺参数的补正值，建立补正表格；3)量产测试时，查询补正表格将对应参数进行补正设定。
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