[发明专利]半导体处理系统及半导体处理系统的污染控制方法有效
| 申请号： | 201910572250.5 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660703B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈柏辰;吴圣威;蔡永豊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露有关于一种污染控制半导体处理系统及半导体处理系统的污染控制方法。污染控制半导体处理系统包含处理腔室、污染侦测系统、以及污染移除系统。处理腔室配置以处理晶圆。污染侦测系统配置以判断门的表面上的污染程度是否大于基准程度。污染移除系统配置以根据大于基准程度的污染程度，从门的表面移除污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 系统 污染 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理系统，其特征在于，该半导体处理系统包含:/n一处理腔室，配置以处理一晶圆且包含一门；/n一污染侦测系统，配置以判断该门的一表面上的一污染程度是否大于一基准程度；以及/n一污染移除系统，配置以根据大于该基准程度的该污染程度，从该门的该表面上移除多个污染物。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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