[发明专利]屏蔽单元电容器阵列在审
| 申请号： | 201910572835.7 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110649018A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 阿龙·J·卡菲;布里安·G·德罗斯特 | 申请（专利权）人： | 硅谷实验室公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 集成电路上的电容器阵列包括多个单元电容器。每个单元电容器包括形成在柱结构中的孤立电容器节点。每个单元电容器还包括与孤立电容器节点相邻的共享电容器。共享电容器节点电联接到阵列中的其他单元电容器的共享电容器节点。每个单元电容器还包括屏蔽节点，其联接到低阻抗节点，并且形成在孤立电容器节点附近，以减少导体与孤立节点和共享节点之间形成电容的机会，从而防止不需要的电荷进入共享节点并减少阵列的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 单元电容器 电容器节点 共享电容器 共享节点 孤立 低阻抗节点 电容器阵列 导体 孤立节点 电荷 线性度 柱结构 电容 屏蔽 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路上的电容器阵列，包括：/n多个单元电容器，每个单元电容器包括，/n孤立电容器节点，形成在集成电路的两个或多个金属层上的垂直结构中，并通过每个金属层之间的至少一个通孔联接；共享电容器节点，共享电容器节点与孤立电容器节点相邻而形成，共享电容器节点通过低阻抗路径联接到多个单元电容器中的其他单元电容器的共享电容器节点；以及屏蔽节点，与在至少一个金属层中的孤立电容器节点相邻形成，在所述金属层中形成孤立电容器节点，屏蔽节点联接到低阻抗节点。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
