[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法

摘要

一种3D NAND存储器及其形成方法，所述形成方法通过使伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度大于伪沟道通孔调节区外的台阶区中的伪沟道通孔密度，相应的伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔中伪沟道结构的密度大于伪沟道通孔调节区外的台阶区中的伪沟道通孔中伪沟道结构的密度，使伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔中伪沟道结构的密度与所述沟道通孔调节区中沟道通孔中存储结构的密度之间的差异减小，从而使台阶区和核心区的交界处两侧或附近的堆叠结构中薄膜的应力的差异会减小，因而在刻蚀台阶区和核心区的交界处的堆叠结构形成栅极隔槽时，使得交界处的栅极隔槽的侧壁不会产生倾斜或者倾斜度大幅减小，从而防止栅极隔槽与沟道通孔短路。

主权项

1.一种3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有牺牲层和隔离层交替层叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心区和位于核心区一侧的台阶区，所述堆叠结构还包括若干栅极隔槽区，所述栅极隔槽区横跨所述核心区和台阶区，所述栅极隔槽区两侧的核心区中具有沟道通孔调节区，所述栅极隔槽区两侧的台阶区中还具有伪沟道通孔调节区，且所述沟道通孔调节区和伪沟道通孔调节区相接触并分别位于所述核心区和台阶区的交界面两侧；在所述沟道通孔调节区以及沟道通孔调节区外的核心区中形成若干沟道通孔；在所述伪沟道通孔调节区和伪沟道通孔调节区外的台阶区中形成若干伪沟道通孔，所述伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度大于伪沟道通孔调节区外的台阶区中的伪沟道通孔密度，使得所述伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度与所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度之间的差异减小；在所述伪沟道通孔中形成伪沟道结构；在所述沟道通孔中形成存储结构；形成所述伪沟道结构和存储结构后，在所述栅极隔槽区中形成横穿核心区和台阶区的栅极隔槽。