[发明专利]基于选择性外延生长的III-V族材料的器件有效
| 申请号： | 201910574857.7 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110323268B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | N·戈埃尔;G·杜威;M·V·梅茨;N·慕克吉;M·拉多萨夫列维奇;B·舒金;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/78;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 第一基于III‑V族材料的缓冲层被沉积在硅衬底上。第二基于III‑V族材料的缓冲层被沉积到第一基于III‑V族材料的缓冲层上。基于III‑V族材料的器件沟道层被沉积在第二基于III‑V族材料的缓冲层上。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 选择性 外延 生长 iii 材料 器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：衬底，所述衬底包括单晶硅；位于所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层包括硅和氧，并且所述绝缘层在其中具有沟槽以暴露出所述衬底的单晶硅表面；位于所述沟槽中和所述衬底的所述单晶硅表面上的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括铟和磷；位于所述沟槽中和所述第一缓冲层上的第二缓冲层，所述第二缓冲层包括铟、镓、砷和锑；以及位于所述第二缓冲层上的器件沟道层，所述器件沟道层包括铟、镓和砷，所述器件沟道层具有顶部和侧壁。
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