[发明专利]一种新型压接式IGBT内部封装结构有效
| 申请号： | 201910575150.8 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110416187B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 于凯;黄小娟 | 申请（专利权）人： | 西安中车永电电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/373 |
| 代理公司： | 西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙) 61245 | 代理人： | 刘强 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于IGBT技术领域，涉及一种新型压接式IGBT内部封装结构，采用了一种具备可压缩性、导电、导热性能优良的高导电高导热弹性材料层。一方面，这种材料层的高导电导热特性可以分别替代现有的压接式IGBT模块内部钼片、银片的作用，甚至当这种高导电导热材料加工工艺提升后，工作特性满足的话可以同时替代钼片和银片；另一方面，这种材料层的引入可以将现有压接式内部结构中各层的硬接触转换为软接触，在保证模块压力均衡性的同时，又能保证模块内部的导热性及导电性。该新型压接式IGBT内部封装结构，在保证压接模块优良性能的同时，简化了陶瓷管壳封装压接式IGBT的封装工艺，解决了压接式IGBT模块的压力均衡性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 压接式 igbt 内部 封装 结构 | ||
【主权项】：
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