[发明专利]具有厚缓冲层的半导体层结构有效
| 申请号： | 201910575603.7 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110858700B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | L.范 | 申请（专利权）人： | 朗美通经营有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体层结构，可以包括衬底、形成在衬底上的缓冲层，以及形成在缓冲层上的一组外延层。所述缓冲层可以具有大于2微米(μm)的厚度。所述一组外延层包括量子阱层。量子阱混合区域可以与所述量子阱层和从半导体层结构的表面的区域扩散的材料相关联地形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缓冲 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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