[发明专利]非易失性存储器及其操作方法在审
| 申请号： | 201910576900.3 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110289034A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;黄莹;魏文喆 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性存储器及其操作方法，该非易失性存储器包括：存储单元阵列，包括多个存储串组，每个存储串组包括多个存储串；共源端，经由第一串选择管连接到每个存储串的另一端；多条第一串选择管字线，每条第一串选择管字线连接到对应的存储串组的第一串选择管的栅极；以及控制器，配置为：在读取阶段之前的预导通阶段中，导通所述多个存储串中的选中存储串的第一串选择管和非选中存储串的第一串选择管，且对所述共源端施加持续的第一预充电压。根据本发明的非易失性存储器及其操作方法，可以通过增加非选中存储串的沟道电势，降低读干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 选择管 非易失性存储器 选中 导通 共源 字线 存储单元阵列 读取 沟道电势 预充电压 控制器 施加 配置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，包括：存储单元阵列，包括多个存储串组，每个存储串组包括多个存储串；共源端，经由第一串选择管连接到每个存储串的另一端；多条第一串选择管字线，每条第一串选择管字线连接到对应的存储串组的第一串选择管的栅极；以及控制器，配置为：在读取阶段之前的预导通阶段中，导通所述多个存储串中的选中存储串的第一串选择管和非选中存储串的第一串选择管，且对所述共源端施加持续的第一预充电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910576900.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁存储装置
- 下一篇：一种存储单元阵列外围电路及存储器件
