[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910577088.6 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151360B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成衬底、位于衬底上的初始半导体柱、位于所述初始半导体柱上的第一掩膜层以及位于所述第一掩膜层上的第二掩膜层；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀初始半导体柱，形成交叉型的半导体柱；形成半导体柱后，在半导体柱露出的衬底上形成隔离层。与半导体柱呈圆柱状的情况相比，本发明实施例半导体柱的高度与半导体柱中任一交叉方向上尺寸的高宽比较小，从而交叉型的半导体柱在受到隔离层中的应力时不易发生弯曲或倾斜等情况，提高了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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