[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910577121.5 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112151381A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;崔龙;涂武涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有层间介质层，层间介质层内形成有开口，开口内形成有初始栅极结构，初始栅极结构包括位于开口底部和侧壁上的初始栅介质层、保形覆盖初始栅介质层的初始功函数层以及位于初始功函数层露出的剩余开口中的初始栅电极层；刻蚀部分厚度的初始栅电极层，剩余初始栅电极层作为栅电极层；形成栅电极层后，刻蚀开口侧壁上的部分高度的初始功函数层和初始栅介质层，剩余初始功函数层作为功函数层，剩余初始栅介质层作为栅介质层；在栅电极层的顶部形成第一保护层；在功函数层和栅介质层的顶部形成第二保护层。本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
