[发明专利]直拉单晶方法、直拉单晶装置、计算机可读存储介质有效
| 申请号： | 201910577260.8 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112144104B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈海云 | 申请（专利权）人： | 宁夏隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 755199 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种直拉单晶方法、直拉单晶装置、计算机可读存储介质，涉及单晶制造技术领域。所述方法包括：提供单晶炉，所述单晶炉包括热场以及设置于所述热场内的加热器和至少一个热场件；在所述单晶炉中生长并提拉单晶；关闭加热器，使所述热场内的温度降低至第一预设温度；以及向所述单晶炉内通入氢气，使所述氢气与所述至少一个热场件反应。本申请中，关闭加热器，热场的温度降低至反应所需的第一预设温度附近，通入氢气，使之与热场内的金属氧化物发生还原反应，得到金属单质和被排出炉外的水蒸气。避免了热场再次使用的过程中，上述金属氧化物蒸发，影响单晶硅中少数载流子寿命；在拆炉前完成反应，无需拆炉后再做处理，节省了作业时间。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉单晶 方法 装置 计算机 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
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