[发明专利]使用In在审
| 申请号： | 201910577676.X | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110655922A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | J·特拉斯基尔;C·伊彭;J·曼德斯;I·J-L·普兰特 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;H01L51/50;H01L51/54;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 陈文平;徐志明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米技术领域。更具体地，本发明涉及高发光的纳米结构，特别是包括铟掺杂的ZnSe核及ZnS和/或ZnSe壳层的高发光纳米结构。本发明还涉及产生这种纳米结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米结构 纳米技术领域 发光纳米 铟掺杂 壳层 发光 | ||
【主权项】：
1.一种纳米结构，其包括被至少一个壳包围的核，其中所述核包含ZnSe和铟掺杂剂，其中所述至少一个壳包含ZnS，并且其中所述纳米结构的发射波长在约435nm和约500nm之间。/n
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