[发明专利]一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池及其制备方法，方法包括：在硅片的特定图形区域沉积一层富含硼的掺杂源；将沉积硼源后的硅片进行高温推进及扩散；单面去除硅片背面的硼硅玻璃层，同时保留正面的硼硅玻璃层；将硅片背面及边缘的硼发射极去除，并重新制绒；硅片背面磷扩散，并形成选择性背场；清洗去掉正面硼硅玻璃层及背面磷硅玻璃层，正面沉积氧化铝氮化硅减反钝化膜，背面沉积氮化硅钝化膜；丝网印刷正面电极及背面电极。本发明可以在无需另通硼源的基础上，一步扩散实现选择性硼发射极，大幅降低金属接触区域的复合，提升太阳电池的开路电压，改善电池的短波响应，提升短路电流，从而有效的提升太阳电池的光电转换效率。

主权项

1.一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选择n型的硅片预处理及制绒；S2、在硅片的特定图形区域沉积一层富含硼的掺杂源；S3、将沉积硼源后的硅片进行高温推进及扩散；S4、单面去除硅片背面的硼硅玻璃层，同时保留正面的硼硅玻璃层，作为后道工序的掩膜阻挡层，保护正面的p‑n结；S5、将硅片背面及边缘的硼发射极去除，并重新制绒；S6、硅片背面磷扩散，并形成选择性背场；S7、清洗去掉正面硼硅玻璃层及背面的磷硅玻璃层，正面沉积氧化铝氮化硅减反钝化膜，背面沉积氮化硅钝化膜；S8、丝网印刷正面电极及背面电极，其中正面电极印在重掺杂区域，高温烧结后完成电池制备。