[发明专利]一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法。所述制备方法包括：用乙醇清洗衬底，用干燥氩气吹净，得到清洗后的衬底；将清洗后的衬底放入CVD设备的玻璃管内，将Se粉、In颗粒及Ga颗粒放入CVD设备的玻璃管内，抽真空处理，通入氩气作为保护气；升温使Se、In及Ga在外延生长面恒温生长，得到生长在Si衬底上的InGaSe纳米材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、生长工艺简单、结晶质量好、成本低、可行性高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度在1.02‑1.67eV范围内连续可调并可用于制造光探测器及太阳能电池等应用的InGaSe二维材料。

主权项

1.一种生长在Si衬底上的二维InGaSe的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）使用无水乙醇清洗Si衬底，再使用干燥氩气吹净，使外延生长面光滑无尘，得到清洗后的衬底；（2）取两个坩埚，将Se粉加入第一坩埚，将In颗粒和Ga颗粒加入第二坩埚中，将第一坩埚放入CVD玻璃管的第一温区中，将第二坩埚放入CVD玻璃管的第二温区中，将步骤（1）所述清洗后的衬底放在第二坩埚的正上方，然后将CVD玻璃管抽真空处理；（3）向CVD玻璃管中通入氩气，加热，恒温生长处理，恒温生长处理的时间为11‑30min，然后降温使CVD玻璃管的温度为60‑70℃，取出样品，得到所述生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料。