[发明专利]模拟元件以及检查电阻元件不良的方法在审

专利信息
申请号: 201910584374.5 申请日: 2019-07-01
公开(公告)号: CN110828418A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 佐佐木修;齐藤俊;狩野太一 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/66;H01L23/544
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种模拟元件以及检查电阻元件不良的方法,其中模拟元件对电阻元件的不良进行模拟,能够提高纵型的电阻元件的安装后的筛选试验的不良检测精度。模拟元件具备:半导体基板;下层绝缘膜,其设置在半导体基板上;第一电阻层,其设置在下层绝缘膜上;层间绝缘膜,其覆盖第一电阻层;第一焊盘形成电极,其以与第一电阻层连接的方式配置在层间绝缘膜上,具有与半导体基板进行肖特基接触的延长部;中继布线,其与第一电阻层连接,且与半导体基板进行欧姆连接;以及相向电极,其设置在半导体基板下,其中,所述模拟元件用于对作为与成为检查对象的电阻元件对应的构造而包含的、第一焊盘形成电极正下方的下层绝缘膜及层间绝缘膜的不良进行模拟。
搜索关键词: 模拟 元件 以及 检查 电阻 不良 方法
【主权项】:
暂无信息
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