[发明专利]模拟元件以及检查电阻元件不良的方法在审
申请号: | 201910584374.5 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN110828418A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 佐佐木修;齐藤俊;狩野太一 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种模拟元件以及检查电阻元件不良的方法,其中模拟元件对电阻元件的不良进行模拟,能够提高纵型的电阻元件的安装后的筛选试验的不良检测精度。模拟元件具备:半导体基板;下层绝缘膜,其设置在半导体基板上;第一电阻层,其设置在下层绝缘膜上;层间绝缘膜,其覆盖第一电阻层;第一焊盘形成电极,其以与第一电阻层连接的方式配置在层间绝缘膜上,具有与半导体基板进行肖特基接触的延长部;中继布线,其与第一电阻层连接,且与半导体基板进行欧姆连接;以及相向电极,其设置在半导体基板下,其中,所述模拟元件用于对作为与成为检查对象的电阻元件对应的构造而包含的、第一焊盘形成电极正下方的下层绝缘膜及层间绝缘膜的不良进行模拟。 | ||
搜索关键词: | 模拟 元件 以及 检查 电阻 不良 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910584374.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。