[发明专利]有源矩阵基板和有源矩阵基板的制造方法

摘要

一种有源矩阵基板和有源矩阵基板的制造方法，有源矩阵基板具有薄膜晶体管，薄膜晶体管具有：栅极电极；隔着栅极绝缘层配置在栅极电极上的氧化物半导体层；以及配置在氧化物半导体层之上的源极电极和漏极电极，多个栅极总线和栅极电极由第1导电膜形成，多个源极总线各自的至少一部分、源极电极以及漏极电极具有包含由第2导电膜形成的下层和由第1透明导电膜形成的上层的层叠结构，在多个源极总线与栅极绝缘层之间配置有与氧化物半导体层由相同氧化物半导体膜形成的在第1方向上延伸的多个第1氧化物层，多个源极总线各自位于对应的第1氧化物层的上表面，多个源极总线各自的沿着第2方向的宽度比对应的1个第1氧化物层的沿着第2方向的宽度小。

主权项

1.一种有源矩阵基板，/n具有：包含多个像素区域的显示区域；以及上述显示区域以外的非显示区域，/n具备：/n基板；/n多个源极总线和多个栅极总线，其支撑于上述基板，上述多个源极总线在第1方向上延伸，上述多个栅极总线在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸；以及/n薄膜晶体管，其配置于上述多个像素区域中的每个像素区域，/n上述有源矩阵基板的特征在于，/n上述薄膜晶体管具有：栅极电极；氧化物半导体层，其隔着栅极绝缘层配置在上述栅极电极上；以及源极电极和漏极电极，其配置在上述氧化物半导体层之上，电连接到上述氧化物半导体层，/n上述多个栅极总线和上述栅极电极由第1导电膜形成，/n上述多个源极总线中的每个源极总线的至少一部分、上述源极电极以及上述漏极电极具有包含由第2导电膜形成的下层和由第1透明导电膜形成的上层的层叠结构，/n上述有源矩阵基板还具备：像素电极，其配置在上述多个像素区域中的每个像素区域，并且由上述第1透明导电膜形成；以及共用电极，其隔着层间绝缘层配置在上述像素电极上，并且由第2透明导电膜形成，或者还具备：像素电极，其在上述多个像素区域的每个像素区域中隔着层间绝缘层配置在上述薄膜晶体管上，由第2透明导电膜形成，/n在上述多个源极总线与上述栅极绝缘层之间，配置有与上述氧化物半导体层由相同氧化物半导体膜形成的在上述第1方向上延伸的多个第1氧化物层，上述多个源极总线中的每个源极总线位于上述多个第1氧化物层中的对应的1个第1氧化物层的上表面，并且上述多个源极总线中的每个源极总线的沿着上述第2方向的宽度比上述对应的1个第1氧化物层的沿着上述第2方向的宽度小。/n