[发明专利]三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201910586222.9 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110350030B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 赵毅;魏娜;陈冰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/43;H01L21/336;H01L29/739 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的制备方法，锗及锗硅垂直沟道晶体管基于积累模式工作，其结构包括三部分：垂直沟道、环绕型栅极和源漏，其中，垂直沟道采用锗纳米柱或垂直环形纳米薄膜，垂直环形纳米薄膜选自锗或锗硅，栅极环绕在垂直沟道四周，栅极层上下的隔离氧化物位置定义晶体管的源漏结构。该方法可应用于三维锗或锗硅垂直沟道阻变晶体管的制备，以及三维阻变晶体管NAND型阵列的制备。本发明可有效增大集成密度、缩小芯片面积、降低制备成本、降低功耗，本发明与标准CMOS工艺兼容，且可应用于NAND闪存的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 垂直 沟道 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的制备方法，其特征在于，所述的锗及锗硅垂直沟道晶体管基于积累模式工作，其结构包括三部分：垂直沟道、环绕型栅极和源漏，其中，垂直沟道采用锗纳米柱或垂直环形纳米薄膜，所述垂直环形纳米薄膜选自锗或锗硅，栅极环绕在垂直沟道四周，栅极层上下的隔离氧化物位置定义晶体管的源漏结构。
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