[发明专利]晶片级测试方法及其测试结构有效
| 申请号： | 201910588010.4 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110783214B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李沛轩;黄郁琁;甘家嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及晶片级测试方法及其测试结构，其中所述方法包含：将第一导电迹线的第一端耦合到自由电子源；用电子束扫描所述第一导电迹线及第二导电迹线的暴露表面；所述第一导电迹线及第二导电迹线是交替布置且间隔开的；在执行所述扫描的同时获得所述第一导电迹线及所述第二导电迹线的图像；及基于所述图像确定所述第一导电迹线及所述第二导电迹线的布线特性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 测试 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种测试晶片的方法，其包括：/n将第一导电迹线的第一端耦合到自由电子源；/n用电子束扫描所述第一导电迹线及第二导电迹线的暴露表面，所述第一导电迹线及第二导电迹线是交替布置且间隔开的；/n在执行所述扫描的同时获得所述第一导电迹线及所述第二导电迹线的图像；及/n基于所述图像确定所述第一导电迹线及所述第二导电迹线的布线特性。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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