[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 201910588462.2 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110676289A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 孙世完;高武恂;朴永祐;安珍星;禹珉宇;尹柱元;李圣俊;李旺宇;李廷洙;李知嬗;池得明 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司： | 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭艳芳;康泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种显示装置包括：基板；第一薄膜晶体管，包括位于基板上的第一半导体层以及位于第一半导体层上的第一栅电极，第一栅电极通过第一栅绝缘层与第一半导体层绝缘；覆盖第一栅电极的有机层间绝缘层；位于有机层间绝缘层上的第一导电层；第一接触孔，通过穿过有机层间绝缘层和第一栅绝缘层暴露第一半导体层的顶部；以及从基板的顶表面突出的第一突出部分，位于基板与第一半导体层之间，第一突出部分与第一接触孔相对应，其中第一导电层通过第一接触孔接触第一半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 绝缘层 基板 接触孔 有机层 栅电极 第一导电层 栅绝缘层 薄膜晶体管 显示装置 顶表面 绝缘 穿过 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，包括：/n基板；/n第一薄膜晶体管，包括位于所述基板上的第一半导体层以及位于所述第一半导体层上的第一栅电极，所述第一栅电极通过第一栅绝缘层与所述第一半导体层绝缘；/n有机层间绝缘层，覆盖所述第一栅电极；/n第一导电层，位于所述有机层间绝缘层上；/n第一接触孔，通过穿过所述有机层间绝缘层和所述第一栅绝缘层暴露所述第一半导体层的顶部；以及/n从所述基板的顶表面突出的第一突出部分，位于所述基板与所述第一半导体层之间，所述第一突出部分与所述第一接触孔相对应，/n其中所述第一导电层通过所述第一接触孔接触所述第一半导体层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
