[发明专利]一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器及其调控方法在审
| 申请号： | 201910588598.3 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110221367A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 高敏;王旭;林媛;罗盛鲜;路畅;潘泰松 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B5/18;G02F1/01 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器及其调控方法，属于太赫兹应用技术领域。本发明调制器采用VO2薄膜和金属光栅复合结构，利用二氧化钒的热致相变特性和对光栅周期的改变实现对太赫兹频率和幅度的多功能动态调节。相比于传统的超结构的调控方法，通过温度变化控制二氧化钒的相变过程，相变前后二氧化钒发生从绝缘相到金属相的变化，电阻率和透射率发生显著变化，在25℃到100℃的温度范围内，都能实现太赫兹透射响应幅度的调节，幅度的调节可达到百分之七十以上；通过改变金属光栅的周期尺寸和金属线条的宽度，调控太赫兹的响应频率，整体的调控范围为0.1thz到3thz。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化钒 调控 二氧化钒薄膜 太赫兹调制器 金属光栅 温度变化控制 应用技术领域 多功能动态 复合结构 光栅周期 金属线条 显著变化 相变过程 相变特性 响应频率 超结构 传统的 电阻率 调制器 金属相 绝缘相 透射率 透射 薄膜 响应 | ||
【主权项】：
1.一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器，其特征在于，包括衬底、金属光栅和二氧化钒薄膜，所述金属光栅位于衬底表面，周期性排列，所述二氧化钒薄膜位于衬底和金属光栅表面。
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