[发明专利]受光元件以及测距模块在审
申请号: | 201910589997.1 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110739325A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 荻田知治 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S7/487;G01S7/491;G01S17/08 |
代理公司: | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李成必;李雪春 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供能够提高特性的受光元件和测距模块。所述受光元件具备片上透镜、布线层以及配置在片上透镜和布线层之间的半导体层,半导体层包括:被施加第一电压的第一电压施加部;被施加与第一电压不同的第二电压的第二电压施加部;配置在第一电压施加部的周围的第一电荷检测部;配置在第二电压施加部的周围的第二电荷检测部;以及贯穿半导体层的贯穿电极。通过贯穿电极对半导体层的片上透镜侧的面上形成的规定的膜施加第三电压。本发明例如可以应用在以ToF方式生成距离信息的受光元件等上。 | ||
搜索关键词: | 电压施加部 半导体层 片上透镜 受光元件 电荷检测部 布线层 电极 贯穿 配置 施加 测距模块 距离信息 膜施加 应用 | ||
【主权项】:
1.一种受光元件,其特征在于,/n所述受光元件包括:/n片上透镜;/n布线层;以及/n配置在所述片上透镜和所述布线层之间的半导体层,/n所述半导体层包括:/n被施加第一电压的第一电压施加部;/n被施加与所述第一电压不同的第二电压的第二电压施加部;/n配置在所述第一电压施加部的周围的第一电荷检测部;/n配置在所述第二电压施加部的周围的第二电荷检测部;以及/n贯穿所述半导体层的贯穿电极,/n通过所述贯穿电极对所述半导体层的片上透镜侧的面上形成的规定的膜施加第三电压。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的