[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910591043.4 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN111640703A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 童宇诚;周运帆;黄德浩;朱贤士;黄丰铭 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。通过将电性传导结构设置在沟槽隔离结构上，以利用沟槽隔离结构上方的空间，从而可以缩减电性传导结构在整个半导体集成电路中所占用的空间，进而有利于实现所构成的半导体集成电路的尺寸缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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