[发明专利]一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板及其制备方法

摘要

本发明提供的一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板的制备方法，利用在薄膜厚度控制和三维均匀性方面最好的ALD技术制备具有精确厚度的周期性纳米叠层薄膜，然后通过切割，对粘和研磨抛光等微纳加工技术，将纳米薄膜的厚度转化为纳米线宽样板的特征尺寸，即突破了传统光刻+刻蚀技术无法加工小尺寸纳米线宽样板的技术极限，又可大大提高纳米线宽样板的加工精确度和可重复性，这对制备高精度和高质量纳米线宽样板具有重要意义。该方法制备过程简单易行，与现有产业化半导体制备工艺流程相兼容，可以以廉价的成本和简单的设备制备出高质量周期性纳米线宽样板。

主权项

1.一种特征尺寸可调控周期性纳米线宽样板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，利用原子层沉积法在洁净的基片上表面周期性的沉积两种或者两种以上不同材料形成的纳米叠层薄膜；步骤2，将步骤1中得到的纳米叠层薄膜进行切割、清洗，形成若干个小块；步骤3，将步骤2中得到的小块进行两两对接粘贴，形成粘贴样品；将得到的粘贴样品进行加热固化，得到固化样品；步骤4，将步骤3中得到大的固化样品进行分割，形成若干个小样品，将得到的若干个小样品进行研磨，得到研磨样品；步骤5，将步骤4中得到的研磨样品进行抛光处理，得到抛光样品；步骤6，将步骤5中得到的抛光样品进行腐蚀，形成特征尺寸可调的周期性纳米线宽样板。