[发明专利]SRAM多单元操作在审
| 申请号： | 201910593475.9 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110335633A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | A·阿克里博 | 申请（专利权）人： | GSI科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/412;G11C8/08;G11C8/10;G11C8/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多存储器单元操作器，包括：非破坏性存储器阵列，存储器阵列在每列存储单元具有第一位线和第二位线，且在每行存储单元具有单个字线，每个存储单元包括数据存储元件和两个访问晶体管，每个晶体管连接到字线、数据存储元件、及位线之一；激活单元，用于同时激活存储器阵列中的至少两行，以在第一位线上生成至少两个存储单元的数据和互补数据的多个布尔函数输出，并在第二位线上生成数据和互补数据的不同的多个布尔函数输出以同时用于存储器阵列的每一列；以及多列解码器，至少用于激活多个选定列的第一位线和第二位线以用于读取或写入。 | ||
| 搜索关键词： | 位线 存储器阵列 数据存储元件 布尔函数 存储单元 互补数据 字线 读取 激活 多单元操作 晶体管连接 列存储单元 行存储单元 解码器 单元操作 多存储器 非破坏性 激活单元 生成数据 输出 晶体管 多列 写入 访问 | ||
【主权项】：
1.一种多存储器单元操作器，包括：存储数据的非破坏性存储器阵列，所述存储器阵列在每列存储单元具有第一位线和第二位线，且在每行所述存储单元具有单个字线，每个所述存储单元包括数据存储元件和两个访问晶体管，每个晶体管连接到所述字线、所述数据存储元件、并连接到所述位线之一；激活单元，其用于同时激活所述存储器阵列中的至少两行，从而在所述第一位线上生成至少两个存储单元的所述数据和互补数据的多个布尔函数输出，并在所述第二位线上生成所述数据和所述互补数据的不同的多个布尔函数输出以同时用于所述存储器阵列的每一列；以及多列解码器，其至少用于激活多个选定列的所述第一位线和所述第二位线以用于读取或写入。
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