[发明专利]蚀刻混切玻璃基板的方法有效
| 申请号： | 201910594360.1 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110316971B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 袁林;晏英 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻混切玻璃基板的方法以改善膜层厚度的均一性，包括以下步骤：S1)获取玻璃基板中每一蚀刻区中的蚀刻量、残留膜厚量与对应的可控参数之间的关联数据；S2)根据关联数据对可控参数、检测区域的蚀刻量、残留膜厚量进行数据分析，得到膜层厚度均一性所述可控参数之间的关系函数；S3)设定残留膜厚量的阈值，并根据所述关系函数，重新优化可控参数；根据优化后的可控参数干蚀刻混切玻璃基板。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 玻璃 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1)获取玻璃基板中每一蚀刻区中的蚀刻量、残留膜厚量与对应的可控参数之间的关联数据；S2)根据所述关联数据对所述可控参数、所述检测区域的蚀刻量、残留膜厚量进行数据分析，得到膜层厚度均一性所述可控参数之间的关系函数，其中，残留膜厚量波动区间越小，膜层厚度均一性越佳；S3)设定残留膜厚量的阈值，并根据所述关系函数，重新优化可控参数；根据优化后的可控参数干蚀刻混切玻璃基板。
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