[发明专利]碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法在审
| 申请号： | 201910594477.X | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110676322A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | E.菲尔古特;R.K.约希;R.西米尼克;T.巴斯勒;M.格鲁贝尔;J.希尔森贝克;D.彼得斯;R.鲁普;W.肖尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861;H01L23/485;H01L21/336;H01L21/329;H01L21/331 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。一种碳化硅器件，包括碳化硅衬底；包括镍、硅和铝的接触层；包括钛和钨的阻挡层结构；包含铜的金属化层。接触层位于碳化硅衬底上。接触层位于碳化硅衬底和阻挡层结构的至少一部分之间。阻挡层结构位于碳化硅衬底和金属化层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 碳化硅器件 接触层 阻挡层 金属化层 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅器件(100；200；300a；300b；600a；600b)，包括：/n碳化硅衬底(102)；/n接触层(104)，包括镍、硅和铝，其中接触层(104)位于碳化硅衬底(102)上；/n包括钛和钨的阻挡层结构(106)，其中接触层(104)位于碳化硅衬底(102)和阻挡层结构(106)的至少一部分之间；和/n包括铜的金属化层(108)，其中阻挡层结构(106)位于碳化硅衬底(102)和金属化层(108)之间。/n
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