[发明专利]一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201910594529.3 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112186067B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 曾俞衡;叶继春;廖明墩;闫宝杰;杨清;王志学;郭雪琪;芮哲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 张鸿飞 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜，并进行780‑1100 |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氮硅化物 薄膜 钝化 接触 结构 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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