[发明专利]非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法在审
申请号: | 201910594574.9 | 申请日: | 2019-07-03 |
公开(公告)号: | CN110942796A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 金承范;朴一汉;李知英;全秀昶 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/08;G11C16/24;G06F12/02;G06F12/0882 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法,非易失性存储器装置包括:存储器单元阵列,包括页,每个页包括存储数据比特的存储器单元,每个数据比特通过不同的阈值电压是可选择的;页缓冲器电路,通过位线结合到存储器单元阵列,页缓冲器电路包括页缓冲器以从选择的存储器单元感测数据并且执行均包括两个顺序的感测操作的第一读取操作和第二读取操作以确定一个数据状态,每个页缓冲器包括锁存器,锁存器被配置为顺序地存储两个顺序感测操作的结果;以及控制电路,控制页缓冲器以存储第一读取操作的结果,在完成第一读取操作之后重置锁存器并且基于谷来执行第二读取操作,谷基于第一读取操作的结果来确定。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 装置 操作 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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