[发明专利]B、N共掺杂C纳米层与Co纳米颗粒复合材料、制备方法与应用有效
| 申请号： | 201910595035.7 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110224147B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 郭盛祺;沈伯雄 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/90 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 王亚洲 |
| 地址： | 300401 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种B、N共掺杂C纳米层与Co纳米颗粒复合材料，涉及复合材料电催化技术领域，复合材料上具有孔，孔尺寸为120‑800nm，复合材料中的Co纳米颗粒镶嵌在B、N共掺杂C纳米层间，Co纳米颗粒尺寸分布在1‑3nm，B、N共掺杂C纳米层的尺寸分布在2‑50μm。本发明还提供上述复合材料的制备方法及其应用。本发明的有益效果在于：本发明制备的复合材料具有优异的电催化氧还原性能和电催化稳定性，具有替代贵金属Pt及其衍生物的潜在可能，制备方法具有工艺简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 纳米 co 颗粒 复合材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种B、N共掺杂C纳米层与Co纳米颗粒复合材料，其特征在于：所述复合材料上具有孔，孔尺寸为120‑800nm，所述复合材料中的Co纳米颗粒镶嵌于B、N共掺杂C纳米层间，Co纳米颗粒尺寸分布在1‑3nm，B、N共掺杂C纳米层的尺寸分布在2‑50μm。
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