[发明专利]一种无过渡层支撑的金属基阵列碳纳米管电极材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910595406.1 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110240145B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 杜显锋;黄珊;熊礼龙 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162;H01G11/24;H01G11/36;H01G11/30 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无过渡层支撑的金属基阵列碳纳米管电极材料的制备方法，包括以下步骤：1)将生长阵列碳纳米管的金属基底置于管式炉的恒温区，同时将石英管管口密封并在载气气氛下使管式炉升高到设定温度；2)将碳源、催化剂同时通入管式炉的反应管里，催化剂首先金属基底上进行裂解成核，随后碳源在裂解后的催化剂颗粒上进行裂解并直接生长阵列碳纳米管，从而制得无过渡层支撑的金属基阵列碳纳米管电极材料。本发明运用化学气相沉积法直接在金属基底上制备垂直阵列碳纳米管电极材料，在沉积催化剂前不需要对基底沉积一层过渡层。该使得垂直阵列碳纳米管材料与基底间的粘附力更强，同时可以大大降低基底与电极材料之间的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过渡 支撑 金属 阵列 纳米 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种无过渡层支撑的金属基阵列碳纳米管电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将生长阵列碳纳米管的金属基底置于管式炉的恒温区，同时将石英管管口密封并在载气气氛下使管式炉升高到设定温度；2)升高到设定温度后将碳源、催化剂同时通入管式炉的反应管里，催化剂首先金属基底上进行裂解成核，随后碳源在裂解后的催化剂颗粒上进行裂解并直接生长阵列碳纳米管，从而制得无过渡层支撑的金属基阵列碳纳米管电极材料。
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