[发明专利]卤族元素O位掺杂氧化镍及其制备方法、靶材、薄膜材料及锂电池负极、锂电池和用电设备有效
| 申请号： | 201910595607.1 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110233262B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王佳希 | 申请（专利权）人： | 桑顿新能源科技（长沙）有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/52 | 分类号： | H01M4/52;H01M4/36;H01M4/13;H01M4/139;H01M4/04;H01M4/66;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王闯 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种卤族元素O位掺杂氧化镍及其制备方法、靶材、薄膜材料及锂电池负极、锂电池和用电设备，涉及新材料领域。卤族元素O位掺杂氧化镍的制备方法：将镍盐、卤盐溶于酸中，加热制备成干凝胶，然后将干凝胶煅烧即可。卤族元素O位掺杂氧化镍使用所述制备方法制得。靶材，使用卤族元素O位掺杂氧化镍烧结得到。薄膜材料包括：碳纳米管薄膜以及设置在碳纳米管薄膜表面的活性物质层。锂电池负极，包括薄膜材料。锂电池，包括锂电池负极。用电设备，包括锂电池。本申请提供的卤族元素O位掺杂氧化镍，有效改善NiO的导电性能，降低内阻。薄膜材料容量高、能量密度高、倍率高。使用薄膜材料制得的锂电池，循环性能和安全性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 卤族 元素 掺杂 氧化 及其 制备 方法 靶材 薄膜 材料 锂电池 负极 用电 设备 | ||
【主权项】：
1.一种卤族元素O位掺杂氧化镍的制备方法，其特征在于，包括：将镍盐、卤盐溶于酸中，加热制备成干凝胶，然后将所述干凝胶煅烧得到所述卤族元素O位掺杂氧化镍。
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