[发明专利]改善临界尺寸一致性的方法与系统有效
| 申请号： | 201910597570.6 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110824831B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陆埼达;蔡启铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/68 | 分类号： | G03F1/68;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及改善临界尺寸一致性的方法与系统。一种方法包含：接收掩模的图案布局；收缩所述图案布局以形成收缩图案；确定所述收缩图案内的多个特征的每一个的中心线；和使所述多个特征的每一个的所述中心线与栅格贴齐。所述栅格表示掩模制造工具的最小分辨率大小。所述方法进一步包含：在将使多个特征的每一个的所述中心线与所述栅格贴齐之后，使用所述收缩图案来制造所述掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 临界 尺寸 一致性 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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