[发明专利]一种场效应管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910597741.5 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110190129A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 姚金才;杨良;陈宇 | 申请（专利权）人： | 深圳爱仕特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应管，以及制备这种场效应管的制备方法，通过将场效应管中的阱区分离开来，并在相邻两个阱区之间的区域不进行离子注入而选择在其上部通过生长金属来制备肖特基接触，使周边阱区和外延形成的PN结与肖特基接触共同组成一个结势垒肖特基二极管，并且在使用过程中通过使这个结势垒肖特基二极管替代器件自身的寄生PIN二极管或在外部反并联使用的外部快恢复二极管，使得器件具有更低的导通压降，更低的功率损耗及更快的工作效率，也降低了工业成本。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应管 制备 结势垒肖特基二极管 肖特基接触 阱区 寄生PIN二极管 快恢复二极管 导通压降 工业成本 工作效率 功率损耗 反并联 外部 离子 金属 生长 替代 | ||
【主权项】：
1.一种场效应管，包括N型衬底以及设于N型衬底上的N型外延，其特征在于：所述N型外延上设有通过P型离子注入形成的P‑well阱区，所述P‑well阱区与所述N型外延的交界面形成PN结，相邻两个P‑well阱区之间的N型外延上设有肖特基接触，所述肖特基与所述PN结共同形成结势垒肖特基二极管。
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