[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910600084.5 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN112185811B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;李锦锦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层上具有第一牺牲层，第一牺牲层内具有第一开口和第二开口；在第一牺牲层顶部表面、第一开口内、以及第二开口内形成第一侧墙材料层；在第一侧墙材料层表面形成第二侧墙材料层，以在第二开口内形成第三开口；采用第一干法刻蚀工艺刻蚀第二侧墙材料层，直至暴露出第二开口底部和侧壁表面的第一侧墙材料层为止，并在第一开口内的第一侧墙材料层表面形成过渡层；以过渡层为掩膜，采用第二干法刻蚀工艺刻蚀第二开口底部暴露出的第一侧墙材料层，在第二开口侧壁表面形成第二侧墙；形成第二侧墙之后，去除过渡层以及第一牺牲层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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