[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910600122.7 申请日: 2019-07-04
公开(公告)号: CN112185908A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 蔡汉龙;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L21/50
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。半导体封装结构包括:第一封装体,第一封装体包括第一封装基板、第一芯片、第一塑封层、第一导热胶层、第一导热引线及第一散热层;第二封装体,位于第一封装体的上方,第二封装体包括第二封装基板、第二芯片、第二塑封层、第二导热胶层、第二导热引线及第二散热层;第三封装体,位于第二封装体的上方;第三封装体包括第三封装基板、第三芯片及第三塑封层。本发明的半导体封装结构在位于叠层封装结构中间的芯片外围设置散热层以改善叠层封装结构的散热,同时通过导热引线将芯片散发的热量传导到散热层,有助于芯片的快速散热,可防止因散热不佳导致的器件翘曲,有助于提高器件性能。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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