[发明专利]MRAM器件及其制造方法及包括MRAM的电子设备有效
| 申请号： | 201910601904.2 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110323247B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种磁性随机存取存储(MRAM)器件及其制造方法及包括这种MRAM的电子设备。根据实施例，MRAM器件可以包括第一数量的第一MRAM单元和第二数量的第二MRAM单元。第一MRAM单元可以具有第一切换电流密度和/或切换磁场强度，而第二MRAM单元可以具有小于第一切换电流密度和/或切换磁场强度的第二切换电流密度和/或切换磁场强度。 | ||
| 搜索关键词： | mram 器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存取存储MRAM器件，包括：第一数量的第一MRAM单元和第二数量的第二MRAM单元，其中，第一MRAM单元具有第一切换电流密度和/或切换磁场强度，第二MRAM单元具有小于第一切换电流密度和/或切换磁场强度的第二切换电流密度和/或切换磁场强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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