[发明专利]具有减小的应力敏感度的磁阻传感器有效
| 申请号： | 201910602979.2 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110690343B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | J·齐默;K·普鲁格尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;G01D5/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有减小的应力敏感度的磁阻传感器。例如，一种磁阻传感器，包括第一非磁性层、第二非磁性层和磁性自由双层。磁性自由双层设置在第一非磁性层和第二非磁性层之间，磁性自由双层包括耦合至第二磁性自由层的第二磁性自由层。第一磁性自由层耦合至第一非磁性层，并且第二磁性自由层耦合至第二非磁性层。第二非磁性层包括非磁性材料，其原子半径在第一磁性自由层和第二磁性自由层中的至少一个的原子半径的10％以内。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 应力 敏感度 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻传感器，包括：/n第一非磁性层；/n第二非磁性层；以及/n磁性自由双层，设置在所述第一非磁性层和所述第二非磁性层之间，所述磁性自由双层包括第一磁性自由层，所述第一磁性自由层耦合至第二磁性自由层，/n其中所述第一磁性自由层耦合至所述第一非磁性层，并且所述第二磁性自由层耦合至所述第二非磁性层，以及/n所述第二非磁性层包括非磁性材料，该非磁性材料具有的原子半径在所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层中的至少一个的原子半径的10％以内。/n
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