[发明专利]高效率氧化型垂直共振腔面发射激光器及其制造方法在审
申请号: | 201910603114.8 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN110854676A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 李亨株 | 申请(专利权)人: | 光电子株式会社 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/42 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 安玉;蒋洪之 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种垂直共振腔面发射激光器(VCSEL)及其制造方法,更详细而言,涉及一种发射峰值波长为860nm的激光的高效率氧化型垂直共振腔面发射激光器及其制造方法。本发明的氧化型垂直共振腔面发射激光器的特征在于,上部电极和上部分布式布拉格反射器之间具有导电性电流扩散层,所述导电性电流扩散层使具有860±10nm的峰值波长的激光透射。 | ||
搜索关键词: | 高效率 氧化 垂直 共振 发射 激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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