[发明专利]一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法，主要用于通讯系统的介质滤波器。本发明材料为BaWO4基微波介质陶瓷材料，烧结温度850℃～900℃，介电常数5.8～9.0，损耗低至3.70×10‑4，频率温度系数‑30～‑10ppm/℃；其化学通式为BaWO4‑xM2CO3‑yBaO‑zB2O3‑wSiO2，其中M为Li+、K+或Na+碱金属离子，且x、y、z、w不能同时为零。当y＝0时，在850℃～900℃下烧结后均为BaWO4相；当y不等于0时，主晶相为BaWO4相，次晶相为BaSi2O5相。制备时，直接将原料按照所需化学式配料，通过固相烧结法制得；最终获得烧结温度低至850℃，保温时间0.5～2h，介电性能5.8～9.0满足高频介质滤波器的BaWO4基的LTCC微波介质陶瓷材料，可应用在LTCC领域。

主权项

1.一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法，其特征在于：为BaWO₄基微波介质陶瓷材料，烧结温度850℃～900℃，应用在LTCC领域；介电常数5.8～9.0，损耗低至3.70×10^‑4，频率温度系数‑30～‑10ppm/℃；该低温烧结微波介质陶瓷材料的化学通式为BaWO₄‑xM₂CO₃‑yBaO‑zB₂O₃‑wSiO₂，x＝0～0.2mol，y＝0～0.05mol，z＝0～0.2mol，w＝0～0.1mol，其中M为Li⁺、K⁺或Na⁺碱金属离子，且x、y、z、w不能同时为零，通过固相烧结法制得；该BaWO₄基微波介质陶瓷材料，当y＝0时，在850℃～900℃下烧结后均为BaWO₄相；当y不等于0时，主晶相为BaWO₄相，次晶相为BaSi₂O₅相。