[发明专利]芯片封装体结构的制造方法在审
| 申请号： | 201910603971.8 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110739229A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃;陈硕懋;许峯诚;林柏尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/488 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种芯片封装体结构的制造方法，包括形成一第一重分布结构于一第一承载基底上。通过一第一导电凸块将一芯片结构接合至第一表面。形成一第一模塑层于第一重分布结构上。去除第一承载基底。形成一第二导电凸块于第二表面上。形成一第二重分布结构于一第二承载基底上。将第一重分布结构接合至第三表面。形成一第二模塑层于第二重分布结构上。去除第二承载基底。从第四表面去除第二重分布结构的一部分。形成一第三导电凸块于第四表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 重分布结构 基底 导电凸块 承载 接合 模塑层 去除 芯片封装体结构 表面去除 第二表面 第一表面 芯片结构 制造 | ||
【主权项】：
1.一种芯片封装体结构的制造方法，包括：/n形成一第一重分布结构于一第一承载基底上，其中该第一重分布结构具有一第一表面及一第二表面；/n通过一第一导电凸块将一芯片结构接合至该第一表面；/n形成一第一模塑层于该第一重分布结构上，且围绕该芯片结构；/n去除该第一承载基底；/n形成一第二导电凸块于该第二表面上；/n形成一第二重分布结构于一第二承载基底上，其中该第二重分布结构具有一第三表面及相对于该第三表面且面向该第二承载基底的一第四表面；/n通过该第二导电凸块将该第一重分布结构接合至该第三表面；/n形成一第二模塑层于该第二重分布结构上，且围绕该第一模塑层、该第一重分布结构以及该芯片结构；/n去除该第二承载基底；/n从该第四表面去除该第二重分布结构的一部分；以及/n形成一第三导电凸块于该第四表面上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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