[发明专利]基于层状α-MoO3纳米片的夹层结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910604069.8 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110364622A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 何军;王俊俊;王峰 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 钱云 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于层状α‑MoO3纳米片的夹层结构及其制备方法，所述夹层结构包括层状α‑MoO3纳米片、顶电极和底电极，其中层状α‑MoO3纳米片为夹芯层，顶电极和底电极分别位于层状α‑MoO3纳米片的上下两侧；层状α‑MoO3纳米片、顶电极和底电极有重叠的区域，且顶电极和底电极不直接接触。本发明用宽带隙的二维结构的α‑MoO3纳米片作为阻变开关活性层，并与顶电极和底电极构成夹层结构，使该结构化学性质稳定，将其用于阻变存储器件中，表现出超大的存储窗口和稳定的耐受性。本发明的制备方法具有成本低、工艺简单、合成速度快等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片 底电极 顶电极 夹层结构 制备 耐受性 阻变存储器件 不直接接触 存储窗口 二维结构 上下两侧 活性层 夹芯层 宽带隙 合成 表现 | ||
【主权项】：
1.一种基于层状α‑MoO3纳米片的夹层结构，其特征在于，包括层状α‑MoO3纳米片、顶电极和底电极，其中所述层状α‑MoO3纳米片为夹芯层，所述顶电极和所述底电极分别位于所述层状α‑MoO3纳米片的上下两侧；所述层状α‑MoO3纳米片、所述顶电极和所述底电极有重叠的区域，且所述顶电极和所述底电极不直接接触。
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