[发明专利]LED的转移方法及LED显示面板的制备方法有效
申请号: | 201910604717.X | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN110416124B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 林永富;陈柏良 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15;H01L33/48 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 徐丽 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种LED的转移方法,其包括以下步骤:提供一接收基板和多个LED,接收基板具有多个接收区域,每一接收区域用于对应接收一个LED,每一LED的相对两端分别设置有磁性相反的第一电极和第二电极或可供磁吸引材料;利用第一电磁平板磁性吸附多个LED,使每一LED均保持第一电极朝上或第二电极朝上后转移至一第一平台;利用一第二电磁平板磁性吸附第一平台上的多个LED,使其粗定位后转移至一第二平台上;以及利用一第三电磁平板吸附第二平台上的多个LED,使其细定位后对应转移至接收基板的接收区域。还提供一种LED显示面板的制备方法。 | ||
搜索关键词: | led 转移 方法 显示 面板 制备 | ||
【主权项】:
1.一种LED的转移方法,其包括以下步骤:步骤S11:提供一接收基板和多个LED,所述接收基板具有多个接收区域,每一接收区域用于对应接收一个所述LED,每一LED的相对两端分别设置有磁性相反的第一电极和第二电极或可供磁吸引材料;步骤S12:提供一第一电磁平板,利用所述第一电磁平板磁性吸附所述多个LED,使每一LED均保持第一电极朝上或第二电极朝上后转移至一第一平台;步骤S13:提供一第二电磁平板,所述第二电磁平板的表面上具有第一绝缘非磁性材料层,所述第一绝缘非磁性材料层上具有暴露所述第二电磁平板的表面的多个第一通孔,每一第一通孔的尺寸均大于每一LED的尺寸,所述多个第一通孔与所述多个接收区域为一一对应的,且所述第二电磁平板通电后对应每一个第一通孔的位置可吸附一个所述LED,其他位置不可吸附所述LED,利用所述第二电磁平板吸附所述第一平台上的所述多个LED,使其粗定位后转移至一第二平台上;以及步骤S14:提供一第三电磁平板,所述第三电磁平板的表面上具有第二绝缘非磁性材料层,所述第二绝缘非磁性材料层上具有暴露所述第三电磁平板的表面的多个第二通孔,每一第二通孔的尺寸均大于每一LED的尺寸并小于每一第一通孔的尺寸,所述多个第二通孔与所述多个接收区域为一一对应的,所述第三电磁平板通电后对应每一个第二通孔的位置可吸附一个所述LED,其他位置不可吸附LED,利用所述第三电磁平板吸附所述第二平台上的所述多个LED,使其细定位后对应转移至所述接收基板的接收区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造