[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201910604774.8 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN111668229A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 安彦尚文;吉原正浩 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(1)包括：存储单元(MT_n)及存储单元(MT_m)，连接于字线(WL_sel)；第1位线(BL)，连接于存储单元(MT_n)；第2位线(BL)，连接于存储单元(MT_m)；以及控制电路；所述控制电路包括：第1晶体管(Tr5)，设置于第1位线(BL)与节点(SEN_n)之间，包括电连接于节点(SEN_n)的一端；第2晶体管(Tr5)，设置于第2位线(BL)与节点(SEN_m)之间，包括电连接于节点(SEN_m)的一端；第2晶体管(Tr5)以与第1晶体管(Tr5)相邻的方式设置；所述控制电路构成为：一面将第1晶体管(Tr5)与第2晶体管(Tr5)的其中一个设为断开状态，一面将另一个设为接通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
