[发明专利]混相α/δ-CsPbI3发光层及其制备方法

摘要

本发明公开了一种混相α/δ‑CsPbI₃发光层及其制备方法，通过旋涂的方法得到α‑CsPbI₃发光层，再对其进行热处理从而调控其相结构组成，制得了α/δ‑CsPbI₃混相发光层。相比于纯α‑CsPbI₃相发光层，利用δ‑CsPbI₃的电子自捕获效应实现了宽光谱的发光，从而得到低色温、显色性高的白光，解决了钙钛矿多个发光层混合实现白光过程中的稳定性问题，并且，通过发光层中α‑CsPbI₃和δ‑CsPbI₃能带结构排列的设计，有效实现了电子的注入和传输，相比于利用电子自捕获，效应的白色荧光材料，基于该发光层制备的白光发光二极管具有很高的发光效率。

主权项

1.一种混相α/δ‑CsPbI₃发光层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）采用CsPbI₃量子点的分散液在玻璃基底上进行旋涂；（2）对步骤（1）所述的玻璃基底在湿度为40~60%的大气环境中于120~140 ℃下热处理15~45 min。