[发明专利]一种具有通孔阵列的平板电容结构制造方法及电子设备有效
| 申请号： | 201910606403.3 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110349761B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 于中尧;武晓萌;王启东;杨芳;方志丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01G13/00 | 分类号： | H01G13/00 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，包括：在具有通孔阵列的平板上沉积第一金属层，使平板及通孔的侧壁上均覆盖第一金属层；在平板上的第一金属层上形成可溶性保护层，形成可溶性保护层的可溶性材料同时填充于通孔阵列中；去除平板上的可溶性保护层，保留通孔阵列中填充的可溶性材料；在平板上的第一金属层上电镀第二金属层；去除通孔阵列中填充的可溶性材料，使通孔侧壁上的第一金属层暴露；蚀刻平板上的金属层和通孔侧壁上的金属层，完全去除通孔侧壁上的金属层，部分去除平板上的金属层，得到带有通孔阵列的平板电容结构。本发明的带有通孔阵列的平板电容结构制造方法，制造工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阵列 平板 电容 结构 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，其特征在于，包括：在具有通孔阵列的平板上沉积第一金属层，使所述平板及所述通孔的侧壁上均覆盖所述第一金属层；在所述平板上的所述第一金属层上形成可溶性保护层，形成所述可溶性保护层的可溶性材料同时填充于所述通孔阵列中；去除所述平板上的所述可溶性保护层，保留所述通孔阵列中填充的所述可溶性材料；在所述平板上的所述第一金属层上电镀第二金属层；去除所述通孔阵列中填充的所述可溶性材料，使通孔侧壁上的所述第一金属层暴露；蚀刻所述平板上沉积的金属层和通孔侧壁上的第一金属层，完全去除所述通孔侧壁上的第一金属层，部分去除平板上的金属层，得到带有通孔阵列的平板电容结构。
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